美國商業資訊

2021-05-20 09:09

Silanna Semiconductor與Transphorm聯合開發一流的65W USB-C PD GaN配接器參考設計

Transphorm採用GaN的解決方案提供突破性的30W/in3功率密度和94.5%的效率

加州戈利塔--(美國商業資訊)--高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)功率轉換產品的先驅和全球供應商Transphorm, Inc. (OTCQB: TGAN)和功率密度領導者Silanna Semiconductor今天宣布推出一項世界一流的GaN電源配接器參考設計。該解決方案是一款採用開放式架構的65W USB-C Power Delivery (PD)充電器,結合了Transphorm的SuperGaN®第四代平臺(Gen IV)與Silanna Semiconductor專有的主動鉗位反馳式(ACF) PWM控制器。這兩項技術的結合產生了前所未有的94.5%的峰值效率和30W/in3的無封裝功率密度。這些效能水準超過了目前使用矽超接合MOSFET或e-mode GaN電晶體的同級解決方案,而且還利用了Transphorm更小的GaN FET。Silanna Semiconductor和Transphorm的通用GaN配接器設計是為筆記型電腦、平板電腦、智慧手機和其他物聯網設備供電的理想選擇。

此新聞稿包含多媒體內容。完整新聞稿可在以下網址查閱:https://www.businesswire.com/news/home/20210517005320/en/

一流技術實現一流效能

新的參考設計仰賴Transphorm和Silanna Semiconductor的先進技術。SuperGaN FET是Transphorm的TP65H300G4LSG,這是一種採用工業標準PQFN88封裝的650 V 240 mΩ元件。它利用SuperGaN第四代平臺,該平臺使用先進的磊晶矽(EPI)和專利設計技術來提高效能。堅固的GaN FET還具有Transphorm元件的高可靠性,包括業界頂級的閘極堅固性。而且,不同於增強型(e-mode)元件,GaN FET不需要額外的偏置軌或電平轉換器等保護性外部電路——這一優勢可以提高效率。這些特性和其他功能進一步提高了配接器系統的整體功率密度,並降低材料清單(BoM)成本。

Silanna Semiconductor的SZ1130是世界上第一款完全整合的ACF PWM控制器,將自我調整數位PWM控制器、主動鉗位FET、主動鉗位閘極驅動器和UHV啟動穩壓器集於一體。作為ACF解決方案,它提供比競爭對手的準諧振(QR)控制器更高的效能,並且在市場上所有ACF控制器中以極小的PCB面積提供極簡單的設計。Silanna Semiconductor的技術不可知性設計專注於最終的電源管理挑戰,具有一流的功率密度和效率,以前所未有的BoM成本節省令客戶滿意。

Transphorm現場應用與技術銷售副總裁Tushar Dhayagude表示:「透過將我們的SuperGaN®元件與Silanna Semiconductor新穎和高度整合的主動鉗位反馳式控制器相搭配,Transphorm和Silanna Semiconductor可以為USB-C PD配接器客戶提供採用GaN的全面參考解決方案所具有的頂級效能。眾所周知,我們的GaN FET可以提高效率,降低功耗,減小AC/DC充電器尺寸,特別是與同級增強型GaN和整合式GaN IC解決方案相比,具有明顯優勢。雙方的合作可謂兩家創新企業的雙強結合,將對GaN在全球電源配接器中的應用產生積極的影響。」

Silanna Semiconductor行銷總監Ahsan Zaman表示:「我們的ACF控制器用途廣泛,為充電器製造商提供設計靈活性,使他們可以選擇自己喜歡的FET技術。結合我們的SZ1130和Transphorm的TP65H300G4LSG,ACF控制器可帶來94.5%的效率,達到業界領先的效能。Silanna Semiconductor能夠將自身的知識和專長與技術生態系統合作夥伴相結合,進一步推動取得一流的效率和功率密度成果,提供一些世界上極具創新性的產品,這讓我們倍感振奮。」

供貨情況

可透過以下兩家製造商取得65W USB-C PD GaN電源配接器參考設計的原理圖、設計檔和材料清單。

  • Silanna Semiconductor:RD-19 (聯絡信箱:sales@silanna.com
  • Transphorm:TDADP-SIL-USBC-65W-RD(在此下載檔案)

 

關於Silanna Semiconductor

功率密度的領導者。因應電源管理的終極挑戰,實現一流的功率密度和效率性能,以前所未有的BoM使客戶滿意。Silanna Semiconductor的AC/DC和DC/DC電源轉換器IC正在利用最新的數位和類比控制和設備技術推動旅行配接器、筆記型電腦配接器、設備電源、智慧型電表、計算、照明、工業電源和顯示電源的關鍵創新。除了我們的全球工程銷售團隊外,區域設計中心和線上工具也為客戶提供支援。Power Density Hero是一款線上設計工具,客戶可以在該工具中輸入自己的功率需求,並立即收到完整的設計、原理圖和 「材料清單」(BOM)。亞洲卓越中心(ACE)擁有一支專門的電源系統工程師團隊,以支援我們的客戶的具體應用設計需求。Silanna Semiconductor總部位於加州聖地牙哥,是一家民營半導體公司,在北美、歐洲、亞洲和澳洲設有設計中心和辦事處,為全球客戶提供服務支援。

關於Transphorm, Inc.

Transphorm, Inc.是氮化鎵革命的全球領導者,致力於設計、製造和銷售用於高壓電源轉換應用的高性能、高可靠性的氮化鎵半導體功率元件。Transphorm擁有最龐大的功率氮化鎵智慧財產權組合之一,持有或取得授權的專利超過1,000多項,在業界率先生產經JEDEC和AEC-Q101認證的高壓GaN半導體元件。歸功於垂直整合的商業模式,公司能夠在產品和技術開發的每一個階段進行創新:設計、製造、元件和應用支援。Transphorm的創新正在使電力電子設備突破矽的局限性,以使效率超過99%、將功率密度提高40%以及將系統成本降低20%。Transphorm的總部位於加州戈利塔,並在戈利塔和日本會津設有製造工廠。如需瞭解更多資訊,請造訪www.transphormusa.com。在Twitter @transphormusa和微信(ID:TransphormGaN)上掌握我們的最新動態。

SuperGaN商標是Transphorm, Inc.的註冊商標。所有其他商標均為其各自所有者的財產。

原文版本可在businesswire.com上查閱:https://www.businesswire.com/news/home/20210517005320/en/

免責聲明:本公告之原文版本乃官方授權版本。譯文僅供方便瞭解之用,煩請參照原文,原文版本乃唯一具法律效力之版本。

聯絡方式:

媒體聯絡人(Transphorm):
Heather Ailara
211 Communications
+1.973.567.6040
heather@211comms.com

媒體聯絡人(Silanna Semiconductor
Lexi Hatzi
Publitek
lexi.hatzi@publitek.com

投資人聯絡人(Transphorm):
Shelton Group
Brett Perry | Leanne Sievers
1-214-272-0070 | 1-949-224-3874
sheltonir@sheltongroup.com

Silanna Semiconductor和Transphorm的新型65W USB-C PD GaN配接器參考設計為各種電子設備提供突破性的功率密度和效率。(照片:美國商業資訊)

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