據內媒報道，9月20日，長鑫存儲在2026世界製造業大會上宣布，第五代DRAM技術平台（以下簡稱「G5平台」）實現量產，公司還同步展出了基於該平台打造的大容量LPDDR5X新品。

　　據介紹，G5平台在關鍵工藝維度實現了多項技術突破。通過創新的四重曝光技術，把內存陣列的有源區半間距微縮至11.95納米；通過變革工藝流程及採用新材料，使存儲電容深寬比達45:1；通過開發適配DRAM工藝的高介電常數金屬柵(HKMG)工藝，將G5平台核心功能區高度縮小到6762納米。同時，G5微縮工藝的突破大幅提升存儲密度，同等條件下，每片晶圓產出裸片數量較第四代平台提升至少50%。

　　受消息帶動，長鑫科技(滬:688825)今日高開高走，現升5.53%，報58.61元人民幣。
《經濟通通訊社21日專訊》

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