存儲晶片股全線受壓，兆易創新(03986)跌4.6%，報358.2元，XL二南方海力士(07709)跌17%，報26.42元，XL二南三星(07747)跌15.2%，報56.58元。

　　長鑫科技宣布4F^2 DRAM架構研發取得關鍵進展後，市場憂慮加劇行業競爭，拖累一眾存儲相關股下跌，其中美光周一(US.MU)跌3.9%，SK海力士(US.SKHY)挫4%，SanDisk(US.SNDK)亦跌近6%。

　　長鑫科技總裁曹堪宇在第四屆集成晶片和芯粒大會上披露，該架構核心為自研VSG(Vertical Surrounded Gate)電晶體，採用垂直包圍溝道結構，增強柵控能力，抑制漏電與短溝道效應，並支援存儲單元面積微縮。相較目前產業主流的6F^2架構，4F^2代表儲存單元面積減少約33%，單位晶圓可整合更多儲存單元，提升儲存密度。

　　公司已公開超300件4F^2專利族，預計於今年年底推出融合4F^2架構的新一代DDR5 RDIMM產品。

　　現時，恒生指數報24098，跌172點或跌0.7%，主板成交超過544億元。國企指數報8099，跌68點或跌0.8%。恒生科技指數報4090，跌78點或跌1.9%。

《經濟通通訊社13日專訊》

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