《經濟通通訊社５日專訊》據《路透》旗下ＩＦＲ報道，內地氮化鎵芯片製造商英諾賽科（Ｉｎｎｏｓｃｉｅｎｃｅ）正考慮最快今年來香港進行ＩＰＯ，籌資約３億美元（約２３﹒４億港元），目前正與中金公司及招銀國際就上市事宜進行合作。　　英諾賽科於２０１５年成立，是一家致力於第三代半導體矽基氮化鎵研發與產業化的高新技術企業。公司採用ＩＤＭ全產業鏈模式，建立了全球首條產能最大的８英吋ＧａＮ－ｏｎ－Ｓｉ晶圓量產線。公司擁有兩座８吋矽基氮化鎵生產基地，目前，英諾賽科８吋矽基氮化鎵的產能達到每月１﹒５萬片，並將逐漸擴大至每月７萬片以上。　　據網站介紹，其投資者包括英國晶片設計商Ａｒｍ、中國電池巨頭寧德時代、韓企ＳＫ集團和招銀國際。（ｂｉ）

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