高盛發表研究報告指出，在上海與英諾賽科(02577)首席財務官會面。該公司為消費電子、電動車、人工智能和數據中心以及機器人應用提供8英寸氮化鎵(GaN)晶片。

　　報告稱，管理層對氮化鎵終端應用擴展持正面態度，涵蓋低電壓至高電壓產品。隨著工廠產能持續提升，有助把握終端需求。管理層亦認為，公司的垂直整合製造(IDM)業務模式以及在氮化鎵器件設計和製造之間快速應變能力是公司的競爭優勢，使其能夠及時滿足客戶需求。

　　產能擴張方面，由於公司已投資建廠，只需引進設備，而8英寸設備價格不高，因此資本支出負擔不會太大。管理層預計需投資約40億元人民幣用於蘇州工廠的產能提升。

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《經濟通通訊社8日專訊》

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