瑞銀證券中國科技行業研究主管俞佳在27日舉行的A股半導體行業專場上表示，全球半導體設備行業已進入超級景氣周期，預計全球DRAM供應偏緊將持續至2028年第二季，NAND Flash供應緊張至少延續至2027年第四季。

　　存儲價格方面，儘管今年上半年漲幅已經非常可觀，但未來兩季料維持上行。瑞銀證券預計，DRAM價格今年第三季及第四季環比漲幅分別為19%和10%，普通DDR（不含HBM）同期漲幅約為20%和10%。進入2027年，環比漲幅將放緩至個位數，但全年均價仍有望實現40%或以上的同比增長。

　　至於NAND Flash，俞佳預計其景氣周期將持續至2027年第四季，今年第三及第四季度價格環比漲幅預計約為20%和8%，2027年前三季度料維持低個位數環比增長，全年均價同比增長預計超過30%。

*中國廠商擴產有時間差，料難衝擊全球供需格局*

　　針對市場憂慮中國存儲廠商加速擴產或衝擊全球供需格局，俞佳認為可能存在過度解讀。他指出，根據中國DRAM廠商的擴產節奏，設備採購安裝調試到實際產出之間存在約兩個季度的時間差；其次，國產DRAM的技術節點和海外相比仍有二代到三代左右的差距，且海外企業同樣在持續推進技術演進。

　　不過，他預計中國存儲廠商全球市佔率將持續上升，受惠於國產替代需求，以及較早推進潔淨室建設及擴產準備。按出貨量計，中國DRAM廠商的全球市佔率料由2025年的約7%，升至2026年的8.4%，並於2027年進一步升至9.4%；中國NAND Flash廠商市佔率亦料續升。

　　俞佳還提到，國內HBM 3E類產品已進入送樣階段，若未來實現穩定大規模量產，將對國內設備、封測及下游加速卡用戶形成顯著正向催化，但該節點的具體時間表仍存在不確定性。

*先進製程良率改善，內地晶圓廠盈利料回升*

　　在晶圓代工領域，瑞銀證券持總體積極但有選擇性的看法。成熟製程方面，BCD、模擬芯片等多類應用景氣度維持高位，產能利用率相對較高，價格處於上升周期，對晶圓廠基本面形成了有力支撐。先進製程方面，國內AI加速卡芯片的良率較2025年明顯改善，設備、材料及供應鏈生態亦日益完備。

　　對於內地晶圓廠面對的折舊壓力，俞佳表示，內地晶圓廠資本開支佔收入比重雖仍高於台灣同業，但已較過往逾100%的水平回落，正逐漸回歸正常化。他認為，隨著產品結構改善、產能利用率提高，以及部分應用供應偏緊帶來提價空間，晶圓廠有望部分抵銷折舊上升的壓力。俞佳預計，內地晶圓廠淨利率未來兩年將呈明顯回升趨勢。

*長期看好半導體板塊，首選設備與存儲*

　　對於近期全球存儲板塊的股價波動，俞佳認為，核心在於對整個行業的判斷，若DRAM周期確如預期延續至2028年二季度，則2028年全年價格相較2027年仍可維持相對穩定，存儲行業的盈利將處於非常可觀的狀態。

　　投資策略方面，瑞銀證券在中國半導體板塊中首推設備與存儲，前者的邏輯在於受益時間最早、不確定性低且競爭格局穩定，後者則因景氣周期長、業績彈性大而具備高吸引力。先進封裝與晶圓製造也是重點關注的領域。公司方面，瑞銀證券更偏好與AI基礎設施投資相關的互聯類芯片標的，而對消費電子類設計公司則保持更為審慎的態度。
《經濟通通訊社28日專訊》