《經濟通通訊社２５日專訊》外電報道指，華為及其晶片製造夥伴申請一項先進半導體製造方法專利，雖技術含量較低，但能有效製造先進晶片，提高華為突破美國圍堵的可能性。　　根據華為與新凱來兩家公司向中國知識產權局提交的專利文件，它們正在開發自對準四重成像技術（ＳＡＱＰ，ｓｅｌｆ－ａｌｉｇｎｅｄ　ｑｕａｄｒｕｐｌｅ　ｐａｔｔｅｒｎｉｎｇ），有助減少對高端光刻機的依賴，可能在沒有荷蘭ＡＳＭＬ最先進極紫外線（ＥＵＶ）光刻機的情況下，生產先進晶片。　＊可避免使用ＥＵＶ設備，製造５納米晶片＊　　　國內晶片製造設備開發商新凱來技術有限公司屬華為的合作夥伴，該公司在去年底獲得一項關於ＳＡＱＰ的專利，通過採用深紫外光刻（ＤＵＶ）、晶片製造設備和ＳＡＱＰ技術，來達到５納米製程晶片的某些技術門檻。此項技術可避免使用ＥＵＶ設備，同時降低製造成本。　　研究機構ＴｅｃｈＩｎｓｉｇｈｔｓ認為，ＳＡＱＰ足以讓中國製造５納米晶片，但不能完全克服沒有ＥＵＶ的技術問題，且單顆晶片的成本可能會高於行業標準。　　報道又指，台積電等使用ＥＵＶ機生產先進半導體，可以令產出較高，做到單顆晶片的成本最小化。如果華為及合作夥伴使用上述替代方法生產半導體，單顆晶片的成本可能會高於行業標準。目前投入商業生產的最先進晶片採用３納米製程，中國只能夠生產７納米晶片，落後全球領先者兩代，若生產工藝推進到５納米，相當於僅落後一代。（ｒｙ）

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