美股動向｜美光股價急挫逾4%，長鑫存儲技術突破掀行業競爭加劇

　　美光科技(US.MU)股價周二(13日)急跌4.1%，最低見949.01美元，主要受中國同業技術突破及台灣廠房勞資糾紛雙重打擊。

　　中國長鑫存儲技術(CXMT)宣布研發4F² DRAM架構，計劃年底前推出伺服器級DDR5模組，直接挑戰三星電子及SK海力士。投資網站TipRanks指出，此技術可提升存儲密度，但量產能力尚未獲驗證。

　　市場憂慮人工智能投資周期過熱，加上低價產能可能湧現，拖累美光等高階伺服器DRAM供應商。該公司逾六成收入依賴雲端基建需求，競爭加劇恐壓縮產品定價空間。

　　博通(US.AVGO)行政總裁陳福陽在新加坡受訪時，將AI投資熱潮比作「賭場投機」，直言多數投資者「根本不知買入什麼」。此番言論加劇半導體板塊沽壓。

　　美光桃園廠房1994名工會成員通過罷工授權，要求15%永久分紅。該廠區佔集團DRAM及高帶寬記憶體產能關鍵地位，雖未定罷工日期，已觸發供應鏈中斷憂慮。

　　美光股價今年累升201%，但較2026年6月歷史高位1214美元仍低21.8%。過去一年該股曾71次出現逾5%波幅，反映市場對行業消息高度敏感。

《經濟通通訊社15日專訊》