美股動向 | 三星傳採用台積電3納米製程，為英偉達新一代HBM造基底晶片

　　韓國《首爾經濟日報》引述業界人士報道，三星電子計劃採用台積電(US.TSM)的3納米製程，為英偉達(US.NVDA)開發的新一代定制高頻寬記憶體(HBM)生產基底晶片，標誌三星首次在HBM製造環節與台積電合作。

　　報道指，英偉達要求三星、SK海力士(US.SKHY)及美光科技(US.MU)，統一採用台積電3納米製程生產相關基底晶片，並以第六代DRAM製程「1c」生產核心晶片，以提高不同供應商產品的性能一致性，並減少驗證工作。

　　相關產品名為NVHBM，建基於第七代HBM4E架構。其設計將部分原由圖形處理器(GPU)承擔的記憶體控制功能整合至基底晶片，旨在提升頻寬及運算效率。據報，與標準HBM4E相比，NVHBM的記憶體頻寬最多可提高30%，功耗則可降低15%。

《經濟通通訊社19日專訊》