大行報告 | 摩根士丹利指記憶體股拋售屬重大買入機會
摩根士丹利最新報告指出,近期記憶體類股劇烈波動創造絕佳買入機會,強調當前產業周期與傳統模式存在本質差異,AI基建需求將持續推升記憶體需求。
據Roundhill Memory ETF走勢顯示,該指數上周曾較6月高位回落逾20%陷入技術熊市,惟本周跟隨成分股反彈。分析師Joseph Moore認為,市場對次級導數放緩、資本支出增加及規格降級等憂慮屬可預期因素,但強調「今次周期不尋常——記憶體已成AI基建關鍵瓶頸」。
報告指出,消費電子領域正面臨元件成本上升及需求疲軟雙重壓力,但數據中心建設才是驅動記憶體需求的主因。Moore引述處理器企業數據稱,AI相關支出年增率逾50%,且佔比持續擴大,直言「PC與智能手機已非市場主導力量」。
摩根士丹利特別提到,動態隨機存取記憶體(DRAM)供應緊張已開始限制企業擴張速度,數據中心需求激增令供需失衡加劇。Moore強調,當前DRAM庫存水平處於歷史低位,記憶體製造商將持續受惠於長期結構性需求增長。
分析團隊更關注產業繁榮周期長度,認為數年穩健盈利增長遠勝短期爆發。Moore建議投資者把握近期拋售機會布局,首選計算類股如英偉達(US.NVDA)及博通(US.AVGO),同時看好記憶體股急跌後估值吸引力浮現。
除摩根士丹利外,美銀及瑞銀分析師本周亦發表類似觀點,指記憶體需求在AI應用推動下保持強韌,相關牛市敘事基礎未受動搖。市場關注美光科技(US.MU)等記憶體大廠本周四(23日)公布財報,將成產業景氣重要風向標。
《經濟通通訊社23日專訊》














