DNP在超2nm世代的EUV微影光罩上實現精細圖案解析度

開始為下一代半導體提供高NA EUV光罩樣品

東京--(美國商業資訊)-- Dai Nippon Printing Co., Ltd. (DNP, TOKYO: 7912)成功實現了用於超2nm（nm：10^-9公尺）世代¹邏輯半導體的光罩所需的精細圖案解析度，支援半導體製造中的尖端工藝極紫外光（EUV）微影技術。

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DNP已完成高數值孔徑²相容光罩的標準評估，該技術適用於下一代超2nm世代的半導體應用，並已開始提供光罩評估。高NA EUV微影技術能以比以往更高的解析度，在矽晶圓上形成精細圖案，預期將促進高效能、低功耗半導體的實現。

[發展]

• 為實現適用於超2nm世代EUV微影技術的光罩，所需的圖案比3nm世代小20%。這不僅包括圖案的尺寸和形狀，還涉及在同一光罩表面解析所有類型精細圖案的技術。這些圖案不僅包含標準的直線和矩形圖案，還包括日益複雜的曲線圖案。DNP透過基於3nm世代成熟製造工藝的反覆改進，已達到超2nm世代所需的圖形解析度。
• 與標準EUV微影技術光罩相比，高NA EUV微影技術所需的光罩要求更高的精度和更精細的加工。DNP建立並優化了一套不同於傳統EUV光罩的製造流程。

[未來展望]

DNP將繼續建立生產技術，目標是在2027財政年度開始大規模生產用於2nm世代邏輯半導體的光罩。

同時，我們也將與imec持續合作，推動光罩製造技術的發展，著眼於實現1nm世代。

1：符合IRDS標準

2：數值孔徑（NA）是表示光學系統亮度與解析度的指標。「高NA」是指將EUV曝光設備的鏡頭數值孔徑從傳統的0.33擴大到0.55。

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用於超2nm世代EUV微影技術的光罩影像（相片：美國商業資訊）