大行報告 | 摩根士丹利指記憶體股拋售屬重大買入機會

　　摩根士丹利最新報告指出，近期記憶體類股劇烈波動創造絕佳買入機會，強調當前產業周期與傳統模式存在本質差異，AI基建需求將持續推升記憶體需求。

　　據Roundhill Memory ETF走勢顯示，該指數上周曾較6月高位回落逾20%陷入技術熊市，惟本周跟隨成分股反彈。分析師Joseph Moore認為，市場對次級導數放緩、資本支出增加及規格降級等憂慮屬可預期因素，但強調「今次周期不尋常——記憶體已成AI基建關鍵瓶頸」。

　　報告指出，消費電子領域正面臨元件成本上升及需求疲軟雙重壓力，但數據中心建設才是驅動記憶體需求的主因。Moore引述處理器企業數據稱，AI相關支出年增率逾50%，且佔比持續擴大，直言「PC與智能手機已非市場主導力量」。

　　摩根士丹利特別提到，動態隨機存取記憶體(DRAM)供應緊張已開始限制企業擴張速度，數據中心需求激增令供需失衡加劇。Moore強調，當前DRAM庫存水平處於歷史低位，記憶體製造商將持續受惠於長期結構性需求增長。

　　分析團隊更關注產業繁榮周期長度，認為數年穩健盈利增長遠勝短期爆發。Moore建議投資者把握近期拋售機會布局，首選計算類股如英偉達(US.NVDA)及博通(US.AVGO)，同時看好記憶體股急跌後估值吸引力浮現。

　　除摩根士丹利外，美銀及瑞銀分析師本周亦發表類似觀點，指記憶體需求在AI應用推動下保持強韌，相關牛市敘事基礎未受動搖。市場關注美光科技(US.MU)等記憶體大廠本周四(23日)公布財報，將成產業景氣重要風向標。

《經濟通通訊社23日專訊》