美股動向 | SK海力士探索混合鍵合技術，HBM封裝瞄準20層以上

　　SK海力士(US.SKHY)正加快下一代高頻寬記憶體(HBM)先進封裝技術布局，並探索混合鍵合等方案，目標突破現有16層堆疊限制，向20層或以上HBM發展。

　　公司封裝工程副總裁Jaesik Lee於Hot Chips 2026發表「高頻寬記憶體先進封裝」演講，介紹包括英特爾EMIB在內的先進封裝方案，以及未來3D整合方向。相關技術有望進一步提升HBM堆疊密度，並為記憶體直接堆疊於AI加速器等3D架構作準備。

　　SK海力士據報目前正開發混合鍵合技術，以實現20層以上堆疊；該技術可取消傳統微凸塊並直接連接晶片，縮小鍵合間距，同時有助改善散熱。SK海力士今年6月已向主要客戶提供12層HBM4E樣品，最高速度達16Gbps/pin，顯示其HBM產品正同步向高效能及高密度方向推進。

《經濟通通訊社24日專訊》