美股動向 | 台積電據報應英偉達要求研發3D DRAM

　　據《The Information》引述兩名知情人士報道，台積電(US.TSM)正考慮進軍先進記憶體晶片製造領域，並應最大客戶英偉達(US.NVDA)要求，着手規劃3D DRAM生產，冀進一步擴大在人工智能供應鏈的業務版圖。

　　3D DRAM透過垂直堆疊記憶體單元，相較傳統平面DRAM可望提升儲存密度，滿足AI晶片對高容量及高速記憶體的需求。目前，三星電子、SK海力士及美光(US.MU)主導DRAM市場，並積極研發下一代3D DRAM技術。

　　AI熱潮推高記憶體需求，供應緊張亦令價格上升，促使晶片企業尋求更多供應來源。值得留意的是，英偉達近期亦要求三星、SK海力士(US.SKHY)及美光(US.MU)採用台積電3納米製程生產下一代客製化高頻寬記憶體(HBM)的基礎晶粒，反映台積電在AI記憶體供應鏈的角色日益重要。

《經濟通通訊社7日專訊》