美股動向｜SK海力士一周暴跌11%，馬斯克：HBM技術壁壘更高

　　SK海力士(US.SKHY)股價過去一周累跌11.9%，主要受中國長鑫存儲(CXMT)公布新型DRAM設計，以及市場憂慮AI數據中心債務問題雙重打擊。特斯拉行政總裁馬斯克在社交平台發文指，中國若快速量產低功耗記憶體或改變2028年市場格局，但強調高帶寬記憶體(HBM)技術壁壘更高。

　　長鑫存儲於上周宣布推出「4F²」DRAM設計，聲稱可應用於服務器記憶體並於2026年底投產。消息觸發首爾股市上周二(13日)出現近兩個月來首次賣方熔斷，SK海力士韓股單日暴跌10.09%，美股同日亦跌3.2%。

　　市場憂慮持續發酵，上周傳出SK海力士部分HBM4後段製程設備訂單可能延至明年。雖然公司澄清投資計劃按進度進行，但市場解讀分歧：樂觀者認為資金轉投需求回升的常規DRAM；悲觀者則擔心HBM4技術遇阻。

　　馬斯克於社交平台回應行業動態，指中國若加快量產LP5及LP6低功耗DRAM，2028年市場格局或生變，但強調：「HBM是更難攻克的技術高地」。分析指此評論間接肯定SK海力士在HBM領域的領先優勢。

《經濟通通訊社20日專訊》