Toshiba推出採用最新一代製程技術[1]的100V N溝道功率MOSFET，以提升工業裝置開關電源效率

日本川崎--(美國商業資訊)-- Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ("Toshiba")推出了「TPH2R70AR5」——一款採用Toshiba最新一代製程U-MOS11-H^[1]製造的100V N溝道功率MOSFET。該MOSFET的目標應用包括資料中心和通訊基地台所用工業裝置的開關電源。產品出貨自即日起開始。

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100V U-MOS11-H系列在Toshiba現有U-MOSX-H系列製程的基礎上，改進了漏源導通電阻(R_DS(ON))、總閘極電荷(Q_g)及二者的權衡特性(R_DS(ON) × Q_g)，從而降低了傳導損耗和開關損耗。

相較U-MOSX-H系列產品TPH3R10AQM，TPH2R70AR5的R_DS(ON)降低約8%，Q_g降低37%，R_DS(ON) × Q_g改善42%。透過應用壽命控制技術^[2]，該產品還實現了高速體二極體效能，減少了反向恢復電荷(Q_rr)並抑制了尖峰電壓。Q_rr改善約38%，R_DS(ON) × Q_rr也改善約43%。這些業界領先的^[3]權衡特性^[4]（R_DS(ON) × Q_g和R_DS(ON) × Q_rr）將功率損耗降至最低，有助於提升電源系統的效率和功率密度。此外，它採用SOP Advance (N)封裝，與產業標準具有出色的安裝相容性。

Toshiba還提供電路設計支援工具：可快速驗證電路功能的G0 SPICE模型，以及能精確再現瞬態特性的高精確度G2 SPICE模型。所有工具現已全面可用。

Toshiba將繼續擴充低損耗MOSFET產品線，協助打造更高效率的電源，為降低裝置功耗貢獻力量。

註：
[1] 截至2025年9月，Toshiba的低壓功率MOSFET製程技術之一。Toshiba調查。
[2] 壽命控制技術：透過利用離子束在半導體中引進缺失，有意縮短載流子壽命，從而提高開關速度，改善二極體的恢復速度並降低雜訊。
[3] 截至2025年9月，相較其他用於工業裝置的100V N溝道功率MOSFET。Toshiba調查。
[4] R_DS(ON)×Q_g : 120mΩ・nC（典型值），R_DS(ON) ・Q_rr : 127mΩ×nC（典型值）

應用領域

• 資料中心和通訊基地台所用工業裝置的電源
• 開關電源（高效DC-DC轉換器等）

產品特點

• 低漏源導通電阻：R_DS(ON)＝2.7mΩ（最大值）(V_GS=10V, I_D=50A, T_a＝25°C)
• 低總閘極電荷：Q_g=52nC（典型值）(V_DD=50V, V_GS=10V, I_D=50A, T_a＝25°C)
• 低反向恢復電荷：Q_rr=55nC（典型值）(I_DR＝50A, V_GS=0V, -dI_DR /dt=100A/μs, T_a＝25°C)

主要規格

（除非另有說明，否則Ta=25°C）
零件編號				TPH2R70AR5
絕對 最大 額定值	漏源電壓 VDSS (V)			100
	漏極電流（直流）ID (A)		Tc=25°C	190
	溝道溫度 Tch (°C)			175
電氣 特性	漏源導通 電阻 RDS(ON) (mΩ)	VGS=10V, ID=50A	最大值	2.7
		VGS=8V, ID＝50A	最大值	3.6
	總閘極電荷 Qg (nC)	VDD=50V, VGS=10V, ID=50A	典型值	52
	閘極開關 電荷 Qsw (nC)		典型值	17
	輸出電荷 Qoss (nC)	VDD=50V, VGS=0V, f=1MHz	典型值	106
	輸入電容 Ciss (pF)	VDS=50V, VGS=0V, f=1MHz	典型值	4105
	反向恢復 電荷 Qrr (nC)	IDR＝50A, VGS=0V, -dIDR /dt=100A/μs	典型值	55
封裝	名稱			SOP Advance(N)
	尺寸(mm)		典型值	5.15×6.1
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