13/10/2026 10:16
《異動股》兆易跌近半成韓國孖寶狂瀉逾15%,長鑫DRAM架構研發取得關鍵進展
存儲晶片股全線受壓,兆易創新(03986)跌4.6%,報358.2元,XL二南方海力士(07709)跌17%,報26.42元,XL二南三星(07747)跌15.2%,報56.58元。
長鑫科技宣布4F^2 DRAM架構研發取得關鍵進展後,市場憂慮加劇行業競爭,拖累一眾存儲相關股下跌,其中美光周一(US.MU)跌3.9%,SK海力士(US.SKHY)挫4%,SanDisk(US.SNDK)亦跌近6%。
長鑫科技總裁曹堪宇在第四屆集成晶片和芯粒大會上披露,該架構核心為自研VSG(Vertical Surrounded Gate)電晶體,採用垂直包圍溝道結構,增強柵控能力,抑制漏電與短溝道效應,並支援存儲單元面積微縮。相較目前產業主流的6F^2架構,4F^2代表儲存單元面積減少約33%,單位晶圓可整合更多儲存單元,提升儲存密度。
公司已公開超300件4F^2專利族,預計於今年年底推出融合4F^2架構的新一代DDR5 RDIMM產品。
現時,恒生指數報24098,跌172點或跌0.7%,主板成交超過544億元。國企指數報8099,跌68點或跌0.8%。恒生科技指數報4090,跌78點或跌1.9%。
長鑫科技宣布4F^2 DRAM架構研發取得關鍵進展後,市場憂慮加劇行業競爭,拖累一眾存儲相關股下跌,其中美光周一(US.MU)跌3.9%,SK海力士(US.SKHY)挫4%,SanDisk(US.SNDK)亦跌近6%。
長鑫科技總裁曹堪宇在第四屆集成晶片和芯粒大會上披露,該架構核心為自研VSG(Vertical Surrounded Gate)電晶體,採用垂直包圍溝道結構,增強柵控能力,抑制漏電與短溝道效應,並支援存儲單元面積微縮。相較目前產業主流的6F^2架構,4F^2代表儲存單元面積減少約33%,單位晶圓可整合更多儲存單元,提升儲存密度。
公司已公開超300件4F^2專利族,預計於今年年底推出融合4F^2架構的新一代DDR5 RDIMM產品。
現時,恒生指數報24098,跌172點或跌0.7%,主板成交超過544億元。國企指數報8099,跌68點或跌0.8%。恒生科技指數報4090,跌78點或跌1.9%。
《經濟通通訊社13日專訊》














