Kioxia啟動第九代BiCS FLASHTM 512Gb TLC元件樣品出貨

融合現有儲存單元與先進CMOS技術，實現投資效率最大化

東京--(美國商業資訊)--全球儲存解決方案領導者Kioxia Corporation今日宣布，已啟動採用第九代BiCS FLASH^TM 3D快閃記憶體技術的512Gb三級單元(TLC)儲存元件樣品出貨¹，並計畫于2025會計年度開啟量產。這些元件專為中低儲存容量需求場景設計，可支援需要高效能、高功率效率的應用。它們還將整合到Kioxia的企業級固態硬碟(SSD)中，尤其適用於旨在最大程度提升AI系統中GPU效率的產品。

Kioxia始終秉持雙管齊下的策略，在滿足尖端應用多樣化需求的同時，提供兼具競爭力與最優投資效率的產品。這兩條策略軸線分別是：

• 第九代BiCS FLASH™產品：透過採用CMOS直接貼合至陣列(CBA)技術²，將現有儲存單元技術³與最新CMOS技術整合，在降低生產成本的同時實現高效能。
• 第十代BiCS FLASH™產品：透過增加儲存層數，滿足未來對大容量、高效能解決方案的預期需求。

新款第九代BiCS FLASH^TM 512Gb TLC採用基於第五代BiCS FLASH^TM技術的120層堆疊製程和先進CMOS技術開發，相較Kioxia現有同為512Gb容量的BiCS FLASH™產品⁴，效能顯著提升，具體包括：

• 寫入效能：提升61%
• 讀取效能：提升12%
• 功率效率：寫入操作時提升36%，讀取操作時提升27%
• 資料傳輸速度：支援Toggle DDR6.0介面，實現3.6Gb/s⁵的高速NAND介面效能
• 位元密度：透過平面縮放技術提升8%

此外，Kioxia已證實，在示範環境中，這款512Gb TLC的NAND介面速度最高可達4.8Gb/s⁵。產品系列將根據市場需求確定。

Kioxia致力於強化全球合作夥伴關係，持續追求創新，為滿足客戶的多樣化需求提供最優解決方案。

1. 這些樣品用於功能測試，其規格可能與量產版本存在差異。
2. 一種技術，其中每個CMOS晶圓和儲存單元陣列晶圓在其最佳化狀態下分別製造，然後貼合在一起。
3. 包括112層第五代BiCS FLASH^TM和218層第八代BiCS FLASH^TM技術。第九代BiCS FLASH^TM新產品系列將根據型號選用其中一種技術。
4. 第六代BiCS FLASH™，採用與本產品相同的512Gb TLC元件。
5. 1Gbps計算為1,000,000,000比特/秒。此數值是在我們特定的測試環境下獲得，可能會因使用條件而有所不同。

註：

• 在每次提及Kioxia產品時：產品密度是根據產品內部儲存晶片的密度確定，而非終端用户可用於資料儲存的記憶體容量。由於存在冗餘數據區、格式化、壞塊及其他限制，消費者可使用的容量會更少，且可能因主機裝置和應用程式的不同而有所差異。詳情請參考相關產品規格。1Gb定義為2^30比特=1,073,741,824比特。
• 讀寫速度為Kioxia在特定測試環境下獲得的最佳值，Kioxia不對單個裝置的讀寫速度做出保證。實際讀寫速度可能因所用裝置及讀寫文件大小而有所不同。
• 公司名稱、產品名稱和服務名稱可能第三方公司的商標。
• 本公告旨在提供有關我們業務的資訊，並非也不構成出售要約或邀請或者在任何司法管轄區購買、認購或以其他方式收購任何證券的要約邀請，無意導引參與投資活動，也不應構成任何相關合約的基礎或依據。
• 本文件中的資訊（包括產品價格和規格、服務內容和聯絡方式）在公告發表之日是正確的，但如有更改，恕不另行通知。

關於Kioxia

Kioxia是全球儲存解決方案領域的領軍企業，致力於快閃記憶體和固態硬碟(SSD)的開發、生產和銷售。其前身Toshiba Memory於2017年4月從1987年發明NAND快閃記憶體的公司Toshiba Corporation分拆而出。Kioxia致力於透過提供產品、服務和系統來為客戶創造選擇，並為社會創造基於儲存技術的價值，從而提升世界的「記憶」。Kioxia創新的3D快閃記憶體技術BiCS FLASH™正在塑造儲存技術在高密度應用領域（包括先進智慧型手機、PC、汽車系統、資料中心和生成式AI系統）的未來。

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