DNP在用於尖端半導體的奈米壓印模板上實現了10奈米線圖案解析度
- 支援1.4奈米制程半導體生產，降低製造成本與能耗 -
東京--(美國商業資訊)-- Dai Nippon Printing Co., Ltd. (DNP, TOKYO:7912)今日宣布，已成功研發出電路線寬為10奈米（nm，10-9公尺）的奈米壓印微影(NIL)模板。這款新型模板可實現效能媲美1.4奈米制程的邏輯半導體的圖案化，滿足尖端邏輯半導體的微型化需求。
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研發背景與目標
近年來，隨著元件精密度的提升，市場對尖端半導體微型化的需求與日俱增，這也推動了以極紫外(EUV)微影技術為基礎的生產進步。然而，EUV微影技術在生產線建設和曝光製程方面需要大量的資本投入，且能耗與運行成本居高不下。
DNP自2003年起便致力於NIL模板的研發工作，在高精確度圖案化領域成功累積了豐富的技術經驗。
在此項最新進展中，DNP研發了一種具有10奈米線圖案的NIL模板。它可以替代部分EUV微影製程，從而協助那些不具備EUV微影生產製程的客戶生產尖端邏輯半導體。
主要特性
- DNP利用自對準雙重圖案化(SADP)技術，成功實現了電路線寬為10奈米的新型NIL模板的研發。該技術透過對微影裝置形成的圖案進行薄膜沉積和蝕刻處理，使圖案密度實現倍增。
- 這項技術還能降低尖端半導體製造曝光過程中的能耗。歸功於採用NIL技術的節能型超精細半導體加工技術，現可將能耗降至現有曝光製程（如氟化氬(ArF)浸沒式微影和EUV微影）的約十分之一。
未來規劃
我們已啟動對NIL模板的評估工作，計畫於2027年實現量產。DNP將推進NIL模板的進一步開發，並提高產能以滿足不斷成長的需求，目標是到2030會計年度使NIL銷售額增至40億日圓。
DNP創立於1876年，現已成為全球領軍企業，以印刷技術為根基開拓創新商機，兼顧環境保護，致力建構更具活力的世界。公司憑藉微細加工與精密塗佈核心技術，為顯示裝置、電子元件及光學薄膜市場提供產品。
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奈米壓印模板