《首爾經濟日報》引述業內人士，表示三星電子正與英偉達(US.NVDA)合作，加速開發下一代NAND快閃記憶體晶片。
三星半導體研究院、英偉達和美國喬治亞州理工學院的聯合研究團隊開發出一種「物理信息神經算子」模型，比現有模型快10000倍以上的速度。他們共同分析鐵電基NAND器件的性能，並公布了研究成果。基於相關研究成果，三星正與英偉達合作開發和商業化鐵電NAND快閃記憶體。
《經濟通通訊社13日專訊》
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