《經濟通通訊社5日專訊》據《路透》旗下IFR報道,內地氮化鎵芯片製造商英諾賽科
(Innoscience)正考慮最快今年來香港進行IPO,籌資約3億美元(約23﹒4
億港元),目前正與中金公司及招銀國際就上市事宜進行合作。
英諾賽科於2015年成立,是一家致力於第三代半導體矽基氮化鎵研發與產業化的高新技
術企業。公司採用IDM全產業鏈模式,建立了全球首條產能最大的8英吋GaN-on-Si
晶圓量產線。公司擁有兩座8吋矽基氮化鎵生產基地,目前,英諾賽科8吋矽基氮化鎵的產能達
到每月1﹒5萬片,並將逐漸擴大至每月7萬片以上。
據網站介紹,其投資者包括英國晶片設計商Arm、中國電池巨頭寧德時代、韓企SK集團
和招銀國際。(bi)
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